ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]

Фото 2/8 ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]Фото 3/8 ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]Фото 4/8 ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]Фото 5/8 ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]Фото 6/8 ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]Фото 7/8 ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]Фото 8/8 ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
Фото 1/8 ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
753 шт. со склада г.Москва
54 руб.
от 40 шт.48 руб.
от 400 шт.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 54 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 579603142
Артикул: ULN2803APG
Производитель: Toshiba

Описание

Корпус DIP-18

Технические параметры

Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Корпус PDIP18
Вес, г 2.2

Техническая документация

ULN2803A
pdf, 298 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах