UMX1NTN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1302 шт. со склада г.Москва, срок 9-13 дней
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
78 руб.
от 50 шт. —
65 руб.
от 100 шт. —
61.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
TRANSISTOR DUAL UM6 NPN/NPN, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V, Power Dissipation Pd:150mW, DC Collector Current:150mA, DC Current Gain hFE:120hFE, No. of Pins:6Pins, Operating Temperature Max:150 C , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | 2 NPNпј€Doubleпј‰ |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| DC Current Gain HFE Max | 560 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 180 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | UMX1N |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | UMX1N |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 2 mm |
| RoHS | Details |
| Width | 1.25 mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
