V60120C-E3/4W, Diode Schottky 120V 60A

PartNumber: V60120C-E3/4W
Ном. номер: 8017768035
Производитель: Vishay
V60120C-E3/4W, Diode Schottky 120V 60A
Доступно на заказ более 10 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
310 руб. × = 1 550 руб.
Цена указана за упаковку из 5
Количество товаров должно быть кратно 5 уп.
от 50 уп. — 240 руб.

Описание

TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, 30A to 80A, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Размеры
10.45 x 9.14 x 4.83мм
Тип диода
Schottky
Максимальный непрерывный прямой ток
60A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
TO-220AB
Пиковое прямое напряжение
0.95V
Пиковый обратный ток
45mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
120V
Число контактов
3
Ширина
9.14mm
Diode Configuration
Common Cathode
Высота
4.83mm
Длина
10.45mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

V60120C, VB60120C, Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier V60120C-E3/4W