VNS1NV04DPTR-E, MOSFET 1.7A OMNIFET Autop

PartNumber: VNS1NV04DPTR-E
Ном. номер: 8049399860
Производитель: ST Microelectronics
VNS1NV04DPTR-E, MOSFET 1.7A OMNIFET Autop
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
150 руб. × = 750 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 98 руб.
от 100 шт. — 64.80 руб.

Описание

N-Channel MOSFETs 1.6A to 1.9A

MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Semiconductors

Технические параметры

размеры
5 x 4 x 1.5mm
высота
1.5mm
длина
5mm
тип монтажа
Surface Mount
тип упаковки
SOIC
Pin Count
8
ширина
4mm

Дополнительная информация

VNS1NV04DP-E, OMNIFET II, Fully Autoprotected Power MOSFET Data Sheet VNS1NV04DPTR-E