VS-C10ET07T-M3

Фото 1/3 VS-C10ET07T-M3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8053705824
If - прямой ток
10 A
Ir - обратный ток
55 uA
Pd - рассеивание мощности
60 W
Vf - прямое напряжение
1.8 V
Vr - обратное напряжение
650 V
Вид монтажа
Through Hole
Все параметры
Datasheet
pdf, 146 КБ
Все документы
2150 шт., срок 9 недель
1 150 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 200 шт.1 120 руб.
от 250 шт.1 100 руб.
100 шт. на сумму 115 000 руб.
Плати частями
от 28 750 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Регулируемые резистивные диоды Si CARBIDE DIODE

Технические параметры

If - прямой ток 10 A
Ir - обратный ток 55 uA
Pd - рассеивание мощности 60 W
Vf - прямое напряжение 1.8 V
Vr - обратное напряжение 650 V
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Регулируемые резистивные диоды
Конфигурация Single
Максимальная ёмкость диода 45 pF
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория Diodes Rectifiers
Размер фабричной упаковки 50
Технология SiC
Тип PIN Schottky Diode
Тип продукта PIN Diodes
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220AC-2
Diode Configuration Single
Diode Technology SiC Schottky
Diode Type SiC Schottky
Maximum Continuous Forward Current 10A
Mounting Type Through Hole
Package Type 2L TO-220AC
Peak Reverse Repetitive Voltage 650V
Pin Count 3
Rectifier Type Schottky Diode
Average Forward Current 10А
Repetitive Peak Reverse Voltage 650В
Количество Выводов 2 Вывода
Полный Емкостной Заряд Qc 28нКл
Стиль Корпуса Диода TO-220AC
Тип Монтажа Диода Сквозное Отверстие
Forward Voltage (Vf@If) 1.8V@10A
Rectified Current 10A
Reverse Voltage (Vr) 650V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 146 КБ
Datasheet
pdf, 119 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.