Добавить к сравнению Сравнить ()

VS-GA200SA60UP, Транзистор IGBT 600В 100А 500Вт, [SOT-227]

Артикул: VS-GA200SA60UP
Ном. номер: 9000043181
Производитель: Vishay
Фото 1/4 VS-GA200SA60UP, Транзистор IGBT 600В 100А 500Вт, [SOT-227]
Фото 2/4 VS-GA200SA60UP, Транзистор IGBT 600В 100А 500Вт, [SOT-227]Фото 3/4 VS-GA200SA60UP, Транзистор IGBT 600В 100А 500Вт, [SOT-227]Фото 4/4 VS-GA200SA60UP, Транзистор IGBT 600В 100А 500Вт, [SOT-227]
Есть в наличии более 1 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
3 340 × = 3 340
от 3 шт. — 3 290 руб.
от 30 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Modules, Vishay
Vishay's high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.

Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.

Wide range of industry-standard package styles
Direct mount on heat sink
Choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies
Low-VCE(on) IGBT
Switching frequency from 1 kHz to 150 kHz
Rugged transient performance
High isolation voltage up to 3500 V
100 % lead (Pb)-free and RoHS-compliant
Low thermal resistance
Wide operating temperature range (-40 °C to +175 °C)

IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.92
Управляющее напряжение,В
15
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

VS-GA200SA60UP datasheet
pdf, 166 КБ

Дополнительная информация

Datasheet VS-GA200SA60UP
Datasheet VS-GA200SA60UP
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов