VS-GT175DA120U, IGBT Trench 175A 1200V Ul

PartNumber: VS-GT175DA120U
Ном. номер: 8001878712
Производитель: Vishay
VS-GT175DA120U, IGBT Trench 175A 1200V Ul
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
4 560 руб. × = 4 560 руб.
от 10 шт. — 3 690 руб.

Описание

IGBT Modules, Vishay
Vishay's high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.

Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.

IGBT Modules, Vishay
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Semiconductors

Технические параметры

Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20
Тип канала
N
Тип монтажа
Panel Mount
Размеры
38.3 x 25.7 x 12.3
Длина
38.3mm
Тип корпуса
SOT-227
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
12.3mm
Максимальное рассеяние мощности
1087 Вт
Ширина
25.7mm
Максимальный непрерывный ток коллектора
288 A
Число контактов
4
Скорость переключения
30

Дополнительная информация

Insulated Gate Bipolar Transistor Trench IGBT, 175 A VS-GT175DA120U