VT6Z2T2R, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 50 В, 100 мА, 100 мА, 150 мВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6275 шт., срок 8-10 недель
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
49 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 2 750 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Continuous Collector Current NPN | 100мА |
| Continuous Collector Current PNP | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min NPN | 120hFE |
| DC Current Gain hFE Min PNP | 120hFE |
| Power Dissipation NPN | 150мВт |
| Power Dissipation PNP | 150мВт |
| Transition Frequency NPN | 350МГц |
| Transition Frequency PNP | 300МГц |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | VT6Z2 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 at - 1 mA, - 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V, - 0.15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz, 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | VT6Z2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | VMT-6 |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.1 V, -0.15 V |
| Configuration | Dual |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 |
| DC Current Gain hFE Max | 560 at-1 mA at-6 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 350 MHz, 300 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VMT-6 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | VT6Z2 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet VT6Z2T2R
pdf, 1612 КБ
Datasheet VT6Z2T2R
pdf, 1640 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
