Мой регион: Россия

ZHB6790TA, Trans GP BJT NPN/PNP 40V

PartNumber: ZHB6790TA
Ном. номер: 8000004015
Производитель: Diodes Incorporated
ZHB6790TA, Trans GP BJT NPN/PNP 40V
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
270 руб.
1800 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 190 руб.
от 100 шт. — 145 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 350 руб.
Quad Transistor H-bridge, Diodes Inc

Semiconductors

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В (NPN), -0,75 В (PNP)
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц (PNP), 150 МГц (NPN)
Количество элементов на ИС
4
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В (NPN), -1 В (PNP)
Длина
6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В, 50 В
Transistor Configuration
Полномостовой
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SM
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Тип транзистора
NPN, PNP
Высота
1.6мм
Число контактов
8
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В (NPN), -5 В (PNP)
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150 (NPN), 150 (PNP)

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.