ZVN4210GTA, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 800 мА, 100 В, 1.5 Ом, 10 В, 800 мВ

PartNumber: ZVN4210GTA
Ном. номер: 8088764674
Производитель: Diodes Incorporated
ZVN4210GTA, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 800 мА, 100 В, 1.5 Ом, 10 В, 800 мВ
Доступно на заказ 695 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
52 руб. × = 52 руб.
от 25 шт. — 49 руб.
от 100 шт. — 48 руб.

Описание

The ZVN4210GTA is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.

• Halogen-free, Green device
• Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
• Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
800мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
800мВ

Дополнительная информация

Datasheet ZVN4210GTA