Мой регион: Россия

ZVP2110GTA, P-Channel Enhancement DMO

PartNumber: ZVP2110GTA
Ном. номер: 8000005279
Производитель: Diodes Incorporated
ZVP2110GTA, P-Channel Enhancement DMO
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
86 руб.
3580 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 200 шт. — 55 руб.
от 500 шт. — 47 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 720 руб.
P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.55мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
12 нс
Максимальный непрерывный ток стока
310 мА
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.55мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Высота
1.65мм
Максимальное сопротивление сток-исток
8 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3+Tab
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
100 pF @ -25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.