Мой регион: Россия

ZVP4525E6TA

Ном. номер: 8001607736
PartNumber: ZVP4525E6TA
Производитель: Diodes Incorporated
ZVP4525E6TA
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
1308 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 81 руб.
от 100 шт. — 48 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
82 руб. 3-4 недели, 59 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 70.30 руб.
от 25 шт. — 69.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.75мм
Высота
1.3мм
Размеры
3 x 1.75 x 1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
1,53 нс
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
17,5 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
18 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
250 V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
2.45 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
73 пФ при -25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-40 В, +40 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.