Мой регион: Россия

ZXMHC10A07N8TC, MOSFET Dual N/P-Ch 100V 1

PartNumber: ZXMHC10A07N8TC
Ном. номер: 8000004019
Производитель: Diodes Incorporated
ZXMHC10A07N8TC, MOSFET Dual N/P-Ch 100V 1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
1310 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 650 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1 А, 850 мА
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
1,36 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
4
Длина
5мм
Transistor Configuration
Полномостовой
Типичное время задержки включения
1.6 ns, 1.8 ns
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
4,1 нс, 5,9 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Максимальное сопротивление сток-исток
1,45 Ом, 900 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
2,9 нКл при 10 В, 3,5 нКл при 50 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
138 пФ при 60 В, 141 пФ при -50 В
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.