ZXMN2F34FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 2,9А, 0,95Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
73 руб.
54 руб.
от 10 шт. —
38 руб.
от 30 шт. —
27 руб.
от 100 шт. —
22.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.4A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 950mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60mО© @ 2.5A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 250uA |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.4 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 60@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 5.1 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 2.8 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.8@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 277@10V |
| Typical Rise Time (ns) | 4.2 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 9.9 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.65 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 5.1 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 7.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 950 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Rise Time: | 4.2 ns |
| Series: | ZXMN2F34 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.65 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 392 КБ
Datasheet
pdf, 402 КБ
Datasheet ZXMN2F34FHTA
pdf, 407 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
