ZXMN4A06GTA, МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 7 А, 40 В, 50 мОм, 10 В, 1 В

PartNumber: ZXMN4A06GTA
Ном. номер: 8045610723
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/3 ZXMN4A06GTA, МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 7 А, 40 В, 50 мОм, 10 В, 1 В
Фото 2/3 ZXMN4A06GTA, МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 7 А, 40 В, 50 мОм, 10 В, 1 ВФото 3/3 ZXMN4A06GTA, МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 7 А, 40 В, 50 мОм, 10 В, 1 В
Доступно на заказ 160 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
77 руб. × = 385 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 69 руб.
от 100 шт. — 64 руб.

Описание

The ZXMN4A06GTA is a 40V N-channel Enhancement Mode MOSFET designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Low threshold
• Low gate drive
• AEC-Q101 qualified
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
3.9Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
40В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.05Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet ZXMN4A06GTA
MOSFET N-ch 7A 40V SOT223