ZXTN2010ZTA, Trans GP BJT NPN 60V 5A 4

PartNumber: ZXTN2010ZTA
Ном. номер: 8013874518
Производитель: Diodes Incorporated
ZXTN2010ZTA, Trans GP BJT NPN 60V 5A 4
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
130 руб. × = 1 300 руб.
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 80 руб.
от 250 шт. — 48.44 руб.

Описание

General Purpose NPN Transistors, Over 1.5A, Diodes Inc

Bipolar Transistors, Diodes Inc

Bipolar Transistors

Semiconductors

Технические параметры

размеры
4.6 x 2.6 x 1.6mm
высота
1.6mm
длина
4.6mm
Maximum Collector Base Voltage
150 V
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum DC Collector Current
5 A
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Maximum Operating Frequency
130 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.1 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-89
Pin Count
4
ширина
2.6mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1100 mV
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
230 mV
Minimum DC Current Gain
20
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

60V NPN Low Saturation Medium Power Transistor In SOT89 ZXTN2010ZTA