ZXTN25012EZTA, 12V 6.5A PNP High Gain Tr

PartNumber: ZXTN25012EZTA
Ном. номер: 8035545935
Производитель: Diodes Incorporated
ZXTN25012EZTA, 12V 6.5A PNP High Gain Tr
Доступно на заказ более 100 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
40 руб. × = 800 руб.
Цена указана за упаковку из 20
Количество товаров должно быть кратно 20 уп.
от 100 уп. — 22 руб.
от 500 уп. — 17.26 руб.

Описание

General Purpose NPN Transistors, Up to 1.5A, Diodes Inc

Bipolar Transistors, Diodes Inc

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Semiconductors

Технические параметры

Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальное напряжение коллектор-база
20 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 V
Максимальный пост. ток коллектора
6.5 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 V
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.1 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-89
Число контактов
3
Ширина
2.6mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1050 мВ
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-270 мВ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Тип транзистора
PNP
Высота
1.6mm
Длина
4.6mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

ZXTN25012EZ, 12V NPN High Gain Transistor in SOT-89 ZXTN25012EZTA