Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › ZXTN4004KTC, Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW ...

ZXTN4004KTC, Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

33 руб.

Кратность заказа 2500 шт.

Добавить в корзину 2500 шт. на сумму 82 500 руб.

Номенклатурный номер: 8001352597

Артикул: ZXTN4004KTC

Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Transistor LED Drive TO252 T&R 2.5K

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	3.8 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	ZXTN4004
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	TO-252-3
Base Product Number	ZXTN4004 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 250mV
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max	3.8W
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-252
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Maximum Collector Base Voltage	150 V
Maximum Collector Emitter Voltage	150 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	7 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.8 W
Minimum DC Current Gain	60
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	1