IRFR220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
114 руб.
от 100 шт. —
92.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзисторы и сборки MOSFET TO252
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.8A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.9A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.8 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 800@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 260@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 22 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.2 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | DPAK |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 22 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.2 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Base Product Number | IRFR220 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.8 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
