VBP104FAS, Фотодиод smd 6,4х3,9мм/780-1050нм/65°
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 27 шт. —
79 руб.
от 54 шт. —
74 руб.
от 108 шт. —
69 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 485 руб.
Описание
Оптоэлектроника / ИК/УФ-приборы и фотоприёмники / Фотодиоды
Фотодиод smd 6,4х3,9мм/780-1050нм/65°
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.40.60.50 |
| Package Height | 1.2 |
| Mounting | Surface Mount |
| PCB changed | 2 |
| Package Length | 4.4 |
| Package Width | 3.9 |
| Type | Chip |
| Photodiode Type | PIN |
| Photodiode Material | Si |
| Polarity | Forward |
| Peak Wavelength (nm) | 950 |
| Maximum Rise Time (ns) | 100(Typ) |
| Maximum Fall Time (ns) | 100(Typ) |
| Maximum Light Current (uA) | 35(Typ) |
| Maximum Dark Current (nA) | 30 |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.3 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 60 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 215 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Standard Package Name | SMD |
| Pin Count | 2 |
| Supplier Package | SMD |
| If - прямой ток: | 50 ma |
| Pd - рассеивание мощности: | 215 mw |
| Vf - прямое напряжение: | 1 v |
| Vr - обратное напряжение: | 60 v |
| Вид монтажа: | smd/smt |
| Время нарастания: | 100 ns |
| Время спада: | 100 ns |
| Категория продукта: | фотодиоды |
| Максимальная рабочая температура: | +100 c |
| Минимальная рабочая температура: | -40 c |
| Пиковая длина волны: | 950 nm |
| Подкатегория: | optical detectors and sensors |
| Продукт: | pin photodiodes |
| Производитель: | vishay |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Темновой ток: | 2 na |
| Тип продукта: | photodiodes |
| Тип: | silicon pin photodiode |
| Торговая марка: | vishay semiconductors |
| Угол половинной интенсивности: | 65 deg |
| Фототок: | 35 ua |
| Чувствительный к влажности: | yes |
| Эквивалентная мощность шума (NEP): | 4e-14 w/sqrt hz |
| Amplifier Function | No |
| Diode Material | Si |
| Maximum Wavelength Detected | 1050nm |
| Minimum Wavelength Detected | 780nm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 2 |
| Package Type | GW |
| Spectrums Detected | Infrared |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 950nm |
| Width | 3.9mm |
| Dark Current | 30(nA) |
| Fall Time | 100(ns) |
| Forward Voltage | 1.3(V) |
| Light Current | 35(uA) |
| Operating Temp Range | -40C to 100C |
| Operating Temperature Classification | Industrial |
| Peak Wavelength | 950(nm) |
| Power Dissipation | 0.215(W) |
| Rad Hardened | No |
| Reverse Breakdown Voltage | 60(V) |
| Rise Time | 100(ns) |
| Вес, г | 0.96 |
Техническая документация
Datasheet VBP104FAS
pdf, 172 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 186 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 154 КБ
Datasheet VBP104FAS
pdf, 421 КБ
Документация
pdf, 182 КБ
