FDS6298, Транзистор полевой N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 руб.
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
от 35 шт. —
24 руб.
от 70 шт. —
21 руб.
от 139 шт. —
19 руб.
Добавить в корзину 18 шт.
на сумму 468 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Технические параметры
| Корпус | so-8 | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Part Status | Obsolete | |
| PCB changed | 8 | |
| Pin Count | 8 | |
| PPAP | No | |
| Process Technology | TMOS | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | SO | |
| Supplier Package | SOIC | |
| Typical Fall Time (ns) | 7 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10@5V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1108@15V | |
| Typical Rise Time (ns) | 5 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 | |
| Вес, г | 0.2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
