2SD1803S-E, Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

210 руб.

от 10 шт. — 190 руб.

от 100 шт. — 178 руб.

от 500 шт. — 141.41 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.

Номенклатурный номер: 8006226944

Артикул: 2SD1803S-E

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE

Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	7 mm
Длина	6.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	55
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	8 A, - 8 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	220 mV, - 280 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz, 130 MHz
Размер фабричной упаковки	500
Серия	2SD1803
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-251-3
Ширина	2.3 mm
Вес, г	0.2604

pdf, 393 КБ

Мы рекомендуем