NTHD4P02FT1G, Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin

NTHD4P02FT1G, Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 240 шт.
Добавить в корзину 240 шт. на сумму 31 200 руб.
Номенклатурный номер: 8001281555
Артикул: NTHD4P02FT1G

Описание

МОП-транзистор -20V -3A P-Channel w/3A Schottky

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 3 A
Pd - рассеивание мощности 1.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 13 ns
Время спада 13 ns
Высота 1.05 mm
Длина 3.05 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single with Schottky Diode
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Серия NTHD4P02
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 33 ns
Типичное время задержки при включении 7 ns
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок ChipFET-8
Ширина 1.65 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet NTHD4P02FT1G
pdf, 84 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов