AUIRFB8409

Фото 2/4 AUIRFB8409Фото 3/4 AUIRFB8409Фото 4/4 AUIRFB8409
Фото 1/4 AUIRFB8409
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
Добавить в корзину 9 шт. на сумму 2 430 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001775402
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.3 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.67mm
Transistor Configuration Single
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 195 A, 409 A
Package Type TO-220AB
Maximum Power Dissipation 375 W
Series COOLiRFET
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3.43mm
Maximum Gate Threshold Voltage 3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.2V
Height 9.02mm
Maximum Drain Source Resistance 1.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 300 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Base Product Number AUIRFB8409 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 450nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14240pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 250ВµA
Вес, г 2.645

Техническая документация

auirfs8409
pdf, 398 КБ

Дополнительная информация

Datasheet AUIRFB8409
Datasheet AUIRFB8409
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.