BSS169H6327XTSA1

Фото 2/7 BSS169H6327XTSA1Фото 3/7 BSS169H6327XTSA1Фото 4/7 BSS169H6327XTSA1Фото 5/7 BSS169H6327XTSA1Фото 6/7 BSS169H6327XTSA1Фото 7/7 BSS169H6327XTSA1
Фото 1/7 BSS169H6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 193 шт.
от 440 шт.9.40 руб.
от 1850 шт.9 руб.
Добавить в корзину 193 шт. на сумму 2 316 руб.
Посмотреть альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8001775702
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

N-Ch 100V 0.17A 0.36W 6R SOT23
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 170 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 6 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 170 мА
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 360 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.3мм
Высота 1мм
Размеры 2.9 x 1.3 x 1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 2.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 2,9 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 11 ns
Серия SIPMOS
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.9V
Максимальное сопротивление сток-исток 12 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs 0,12 нКл при 7 В
Номер канала Опускание
Типичная входная емкость при Vds 51 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 90 mA
Pd - рассеивание мощности 360 mW
Qg - заряд затвора 2.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.9 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 2.7 ns
Время спада 27 ns
Другие названия товара № BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572
Канальный режим Depletion
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 0.1 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип SIPMOS Small Signal Transistor
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 2.9 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок PG-SOT-23-3
Base Product Number BSS169 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
ECCN EAR99
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 7V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 68pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SIPMOSВ® ->
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 50ВµA
Вес, г 0.034

Техническая документация

BSS169H6327XTSA1
pdf, 397 КБ
Datasheet
pdf, 138 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.