IRF3415PBF

Фото 2/7 IRF3415PBFФото 3/7 IRF3415PBFФото 4/7 IRF3415PBFФото 5/7 IRF3415PBFФото 6/7 IRF3415PBFФото 7/7 IRF3415PBF
Фото 1/7 IRF3415PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
78 руб.
Мин. кол-во для заказа 31 шт.
от 70 шт.64.20 руб.
от 300 шт.61 руб.
Добавить в корзину 31 шт. на сумму 2 418 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001777664
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 150V, 43A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 150V Current, Id Cont 37A Resistance, Rds On 0.042ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 150A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Configuration a Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 150W Power, Pd 150W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 150V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 43 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 43 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 200 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Высота 8.77мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 12 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 71 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 42 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 150 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 200 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2400 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 43 A
Pd - рассеивание мощности 200 W
Qg - заряд затвора 133.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 42 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Base Product Number IRF3415 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 22A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 2.716

Техническая документация

IRF3415PBF Datasheet
pdf, 203 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF3415PBF
Datasheet IRF3415PBF
Datasheet IRF3415PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.