Добавить к сравнению Сравнить ()

BC857BW.115

Ном. номер: 8001777859
PartNumber: BC857BW.115
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/6 BC857BW.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BC857BW.115Фото 3/6 BC857BW.115Фото 4/6 BC857BW.115Фото 5/6 BC857BW.115Фото 6/6 BC857BW.115
0.90 руб.
17106 шт. со склада г.Москва
от 6000 шт. — 0.80 руб.
от 12000 шт. — 0.77 руб.
Мин. кол-во для заказа 4855 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
18 руб. 2-4 недели, 26860 шт. 10 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 6 руб.
10 руб. 3-4 недели, 2100 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 5 руб.
от 200 шт. — 3.20 руб.
от 260 шт. — 2.92 руб.
13 руб. 6 дней, 5879 шт. 1 шт. 48 шт.
от 532 шт. — 3 руб.
от 1063 шт. — 1.60 руб.
от 2125 шт. — 1.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-600 mV
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
850 мВ
Длина
2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
1мм
Число контактов
3
Automotive Standard
AEC-Q101
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
125
Вес, г
0.046

Дополнительная информация

Datasheet BC857BW.115

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.