BCV49H6327XTSA1

Ном. номер: 8001778662
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BCV49H6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BCV49H6327XTSA1Фото 3/3 BCV49H6327XTSA1
11 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 478 шт. — 9.30 руб.
от 1000 шт. — 8.90 руб.
от 2000 шт. — 8.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 434 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 346 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 75 руб.
от 5 шт. — 40 руб.
от 10 шт. — 27 руб.
14 руб. 6 дней, 1826 шт. 1 шт. 107 шт.
от 214 шт. — 12 руб.
19 руб. 8 дней, 2500 шт. 100 шт. 100 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243, АБ

NPN DARLINGTON 60V 0.5A SOT89
Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация NPN Darl., Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 10000

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Длина
4.5мм
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Тип корпуса
SOT-89
Максимальное рассеяние мощности
5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.5мм
Тип транзистора
NPN
Высота
1.5мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
2000
Ток базы
100mA
Вес, г
0.128

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов