Добавить к сравнению Сравнить ()

MJD117T4

Ном. номер: 8001779049
PartNumber: MJD117T4
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 MJD117T4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 MJD117T4Фото 3/4 MJD117T4Фото 4/4 MJD117T4
19 руб.
20876 шт. со склада г.Москва
от 236 шт. — 18 руб.
от 490 шт. — 16.50 руб.
от 1028 шт. — 15.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 226 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
57 руб. 3 дня, 1553 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 22 руб.
от 200 шт. — 21 руб.
130 руб. 19 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 80 руб.
от 5 шт. — 46 руб.
от 10 шт. — 33 руб.
22 руб. 4 дня, 2890 шт. 1 шт. 66 шт.
от 131 шт. — 19 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 12000

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
4 В
Длина
6.6мм
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальный запирающий ток коллектора
0.02mA
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
6.2мм
Тип транзистора
PNP
Высота
2.4мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Вес, г
0.568

Дополнительная информация

Datasheet MJD117T4

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.