IRL3713PBF

Ном. номер: 8001779719
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRL3713PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRL3713PBFФото 3/3 IRL3713PBF
130 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 40 шт. — 112 руб.
от 100 шт. — 107 руб.
от 150 шт. — 102 руб.
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 444 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 115 руб.
от 150 шт. — 114 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
260 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.82мм
Высота
16.51мм
Размеры
10.66 x 4.82 x 16.51мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
75 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5890 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
260
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
3.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
330
Крутизна характеристики S,А/В
76
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220AB
Вес, г
2.604

Техническая документация

IRL3713 Datasheet
pdf, 239 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов