IHW15N120R3FKSA1

Фото 2/5 IHW15N120R3FKSA1Фото 3/5 IHW15N120R3FKSA1Фото 4/5 IHW15N120R3FKSA1Фото 5/5 IHW15N120R3FKSA1
Фото 1/5 IHW15N120R3FKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 30 шт.151 руб.
Добавить в корзину 13 шт. на сумму 2 470 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001780170
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

IGBT+ DIODE, 1200V, 15A, TO247
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 30 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Максимальная мощность 254 Вт, Заряд затвора 165 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 30 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 254 Вт
Energy Rating 1.25mJ
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 5.21мм
Высота 21.1мм
Число контактов 3
Размеры 16.13 x 5.21 x 21.1мм
Скорость переключения 60кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Емкость затвора 1165пФ
Pd - рассеивание мощности 254 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW15N120R3 IHW15N12R3XK SP000521590
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.48 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия RC
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number IHW15N120 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
ECCN EAR99
Gate Charge 165nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 254W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series TrenchStopВ® ->
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 700ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C -/300ns
Test Condition 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 7.978

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1505 КБ
Datasheet IHW15N120R3FKSA1
pdf, 2051 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.