IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001780203
Производитель: Infineon Technologies
200 руб.
Возможность поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
712 руб. 3-5 недель, 1000 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 604 руб.
450 руб. 4 дня, 48 шт. 1 шт. 2 шт.
от 4 шт. — 290 руб.
от 7 шт. — 272 руб.
от 13 шт. — 254 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 120 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 300 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.45мм
Высота 4.57мм
Размеры 10.31 x 9.45 x 4.57мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.31мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 19 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 70 нс
Серия OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.3V
Максимальное сопротивление сток-исток 2 MΩ
Максимальное напряжение сток-исток 75 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 155 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 10800 пФ при 37,5 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 1.25

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.