IPB123N10N3GATMA1

Фото 2/2 IPB123N10N3GATMA1
Фото 1/2 IPB123N10N3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001780212
Производитель: Infineon Technologies
61 руб.
Возможность поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 36 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
200 руб. 36 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 150 руб.
от 5 шт. — 118 руб.
от 10 шт. — 108 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

N-CH 100V 58A 12mOhm TO263-3
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 58 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.3 мОм

Технические параметры

Вес, г 1.906

Дополнительная информация

Datasheet IPB123N10N3GATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.