IPD079N06L3GBTMA1

Фото 2/2 IPD079N06L3GBTMA1
Фото 1/2 IPD079N06L3GBTMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001780218
Производитель: Infineon Technologies
44 руб.
Возможность поставки по запросу
от 121 шт. — 36.50 руб.
от 506 шт. — 34.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 53 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 105 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 110 руб.
от 5 шт. — 76 руб.
от 10 шт. — 65 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7.9 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 6.73mm
Transistor Configuration Single
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 50 A
Package Type DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation 79 W
Series OptiMOS 3
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 6.223mm
Maximum Gate Threshold Voltage 2.2V
Height 2.413mm
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Maximum Drain Source Resistance 13.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Вес, г 0.56

Дополнительная информация

Datasheet IPD079N06L3GBTMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.