IPP60R099C6XKSA1

Фото 2/2 IPP60R099C6XKSA1
Фото 1/2 IPP60R099C6XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001780251
Производитель: Infineon Technologies
270 руб.
Возможность поставки по запросу
от 20 шт. — 222 руб.
от 100 шт. — 211 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
590 руб. 4 дня, 39 шт. 1 шт. 1 шт.
от 6 шт. — 370 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

N-Ch 600V 37.9A 278W 0.099R TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 37.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 99 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.65mm
Transistor Configuration Single
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 38 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 35 W
Series CoolMOS C6
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 4.9mm
Height 16.15mm
Maximum Drain Source Resistance 99 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 119 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Forward Diode Voltage 0.9V
Вес, г 2.8

Дополнительная информация

Datasheet IPP60R099C6XKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.