IRFR2405PBF

Фото 2/6 IRFR2405PBFФото 3/6 IRFR2405PBFФото 4/6 IRFR2405PBFФото 5/6 IRFR2405PBFФото 6/6 IRFR2405PBF
Фото 1/6 IRFR2405PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001780458
Производитель: Infineon Technologies
47 руб.
Возможность поставки по запросу
от 114 шт. — 38.70 руб.
от 450 шт. — 36.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
44 руб. 3 дня, 2 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 39 руб.
от 150 шт. — 38 руб.
150 руб. 51 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 100 руб.
от 5 шт. — 70 руб.
от 10 шт. — 61 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: DPAK, АБ

MOSFET, N, 55V, 56A, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 56A Resistance, Rds On 0.016ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style D-PAK Current, Idm Pulse 220A Power Dissipation 110W Power, Pd 110W SMD Marking IRFR2405 Thermal Resistance, Junction to Case A 1.4°C/W Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO-252-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 56 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 56 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 110 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 55 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 16 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 70 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2430 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.613

Техническая документация

IRFR2405PBF Datasheet
pdf, 221 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.