Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF540NSPBF

Ном. номер: 8001780476
PartNumber: IRF540NSPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF540NSPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF540NSPBFФото 3/6 IRF540NSPBFФото 4/6 IRF540NSPBFФото 5/6 IRF540NSPBFФото 6/6 IRF540NSPBF
50 руб.
756 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 45 руб.
от 200 шт. — 42.90 руб.
от 400 шт. — 40.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 87 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 3 дня, 598 шт. 1 шт. 1 шт.
160 руб. 120 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 110 руб.
от 5 шт. — 72 руб.
от 10 шт. — 60 руб.
45 руб. 6 дней, 620 шт. 1 шт. 36 шт.
от 100 шт. — 38 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: D2PAK

MOSFET, N, 100V, 33A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 33A Resistance, Rds On 0.052ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 110A Power Dissipation 140W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W Power, Pd 140W SMD Marking IRF540NS Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.1°C/W Voltage, Vds 100V Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 33 А, Сопротивление открытого канала (мин) 44 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
33 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
130 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
39 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
44 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
71 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1960 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.016

Техническая документация

irf540nspbf
pdf, 279 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF540NSPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.