SPB17N80C3ATMA1

Фото 2/4 SPB17N80C3ATMA1Фото 3/4 SPB17N80C3ATMA1Фото 4/4 SPB17N80C3ATMA1
Фото 1/4 SPB17N80C3ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 810 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001781202
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 290 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 17 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 227 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.45мм
Высота 4.57мм
Размеры 10.31 x 9.45 x 4.57мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.31мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 25 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 72 нс
Серия CoolMOS C3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток 290 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 800 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 12 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2300 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 17 A
Pd - рассеивание мощности 227 W
Qg - заряд затвора 117 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 15 ns
Время спада 12 ns
Другие названия товара № SP000013370 SPB17N80C3 SPB17N8C3XT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение CoolMOS
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-263-3
Transistor Mounting Surface Mount
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 17А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 227Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.25Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1.912

Техническая документация

Datasheet
pdf, 426 КБ
Datasheet
pdf, 426 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.