IRFP064NPBF

Ном. номер: 8001782870
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFP064NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFP064NPBFФото 3/4 IRFP064NPBFФото 4/4 IRFP064NPBF
98 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 50 шт. — 89 руб.
от 100 шт. — 84.90 руб.
от 225 шт. — 80.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 46 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 4119 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 102 руб.
от 150 шт. — 101 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
110 А
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
43 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4000 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
110 А
Package Type
TO-247AC
Maximum Power Dissipation
200 Вт
Серия
HEXFET
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.3мм
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
20.3мм
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
170 nC @ 10 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Вес, г
7.24

Техническая документация

IRFP064 datasheet
pdf, 171 КБ
IRFP064N Datasheet
pdf, 112 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP064NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов