IRG4PC50FDPBF

Фото 2/5 IRG4PC50FDPBFФото 3/5 IRG4PC50FDPBFФото 4/5 IRG4PC50FDPBFФото 5/5 IRG4PC50FDPBF
Фото 1/5 IRG4PC50FDPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
400 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 14 шт.334 руб.
от 50 шт.317 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 400 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001782872
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

IGBT, TO-247 TUBE 25 Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 600V Current Ic Continuous a Max 70A Voltage, Vce Sat Max 1.7V Power Dissipation 200W Case Style TO-247 Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600V Current, Icm Pulsed 280A No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall Max 140ns Time, Rise 25ns Transistors, No. of 1
Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 70 А, Напряжение насыщения К-Э 1.6 В, Максимальная мощность 200 Вт, Заряд затвора 190 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Длина 15.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 70 A
Тип корпуса TO-247AC
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 5.3мм
Высота 20.3мм
Число контактов 3
Размеры 15.9 x 5.3 x 20.3мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Вес, г 7.272

Техническая документация

IRG4PC50FD Datasheet
pdf, 217 КБ
Datasheet IRG4PC50FDPBF
pdf, 758 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.