BCP54.115

Фото 2/4 BCP54.115Фото 3/4 BCP54.115Фото 4/4 BCP54.115
Фото 1/4 BCP54.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001783203
Производитель: NXP Semiconductor
6 руб.
7851 шт. со склада г.Москва
от 1000 шт. — 4.40 руб.
от 4000 шт. — 4.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 438 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
15 руб. 1052 шт. 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 9.10 руб.
от 500 шт. — 7.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,5 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 180 MHz
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 45 В
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Тип корпуса SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности 960 мВт
Тип монтажа Surface Mount
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора 1 A
Тип транзистора NPN
Высота 1.7мм
Число контактов 4
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 1.7 x 6.7 x 3.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 40
Вес, г 0.265

Техническая документация

BCP54 datasheet
pdf, 53 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BCP54.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.