PDTC114YT.215

Фото 2/8 PDTC114YT.215Фото 3/8 PDTC114YT.215Фото 4/8 PDTC114YT.215Фото 5/8 PDTC114YT.215Фото 6/8 PDTC114YT.215Фото 7/8 PDTC114YT.215Фото 8/8 PDTC114YT.215
Фото 1/8 PDTC114YT.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 шт. со склада г.Москва
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 260 шт.
Добавить в корзину 260 шт. на сумму 520 руб.
Посмотреть альтернативные предложения7
Номенклатурный номер: 8001783394
Производитель: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Цифровой биполярный транзистор, NPN, 0.25 Вт
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 100

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,1 В
Типичный коэффициент резистора 0,21, 1
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора 100 mA
Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.4мм
Тип транзистора NPN
Высота 1мм
Число контактов 3
Размеры 3 x 1.4 x 1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 10 V
Типичный входной резистор 10 кΩ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100
Base Product Number PDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.04

Дополнительная информация

Datasheet PDTC114YT.215
Datasheet PDTC114YT.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах