IRF9Z34NPBF

Ном. номер: 8001783437
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF9Z34NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF9Z34NPBFФото 3/5 IRF9Z34NPBFФото 4/5 IRF9Z34NPBFФото 5/5 IRF9Z34NPBF
28 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 200 шт. — 26 руб.
от 350 шт. — 24.10 руб.
от 750 шт. — 23 руб.
Мин. кол-во для заказа 161 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
41 руб. 1539 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 33 руб.
от 150 шт. — 31 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 19 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
19 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
35 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
620 pF@ 25 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
-19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
68
Крутизна характеристики S,А/В
4.2
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220AB
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
19 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
35 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
620 pF @ 25 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.68

Техническая документация

IRF9Z34 datasheet
pdf, 174 КБ
IRF9Z34NPBF Datasheet
pdf, 240 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF9Z34NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов