IRF7104TRPBF

Фото 2/2 IRF7104TRPBF
Фото 1/2 IRF7104TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001783866
Производитель: Infineon Technologies
22 руб.
Возможность поставки по запросу
от 242 шт. — 18 руб.
от 1016 шт. — 17.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 106 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
65 руб. 3 дня, 539 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 25 руб.
61 руб. 3-4 недели, 2749 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 45 руб.
от 30 шт. — 41.90 руб.
от 100 шт. — 39.10 руб.
31 руб. 4 дня, 10072 шт. 1 шт. 73 шт.
от 290 шт. — 25 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

The IRF7104TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2.3 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 1.5мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 5мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 12 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 42 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 400 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 9.3 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 290 пФ при -15 В
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -12 V, +12 V
Вес, г 0.188

Дополнительная информация

Datasheet IRF7104TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.