IKB30N65EH5ATMA1

Фото 2/3 IKB30N65EH5ATMA1Фото 3/3 IKB30N65EH5ATMA1
Фото 1/3 IKB30N65EH5ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
Добавить в корзину 18 шт. на сумму 2 340 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001783977
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 650 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-263-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;

Ток коллектора: 35 А;

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 В;

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В;

Ток коллектора при 25°С: 55 A;

Рассеиваемая мощность: 188 Вт;

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА;

Заряд затвора: 70 нКл;

Рабочая температура: -40...+175 °C;

Корпус: TO-263-3

Корпус TO263

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 188 W
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № IKB30N65EH5 SP001502648
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 55 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 55 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 650V TRENCHSTOP 5
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet IKB30N65EH5ATMA1
pdf, 1554 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.