IKW15N120BH6XKSA1

Фото 2/3 IKW15N120BH6XKSA1Фото 3/3 IKW15N120BH6XKSA1
Фото 1/3 IKW15N120BH6XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 22 шт.199 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 400 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001784109
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IKW15N120BH6 SP001666618
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия TRENCHSTOP IGBT6
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number IKW15N120 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
ECCN EAR99
Gate Charge 92nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 200W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 340ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series TrenchStopв„ў ->
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Switching Energy 700ВµJ (on), 550ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 18ns/240ns
Test Condition 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 7.933

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.