IHW30N120R5XKSA1

Фото 2/3 IHW30N120R5XKSA1Фото 3/3 IHW30N120R5XKSA1
Фото 1/3 IHW30N120R5XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 30 шт.168 руб.
от 120 шт.160 руб.
Добавить в корзину 12 шт. на сумму 2 520 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001784223
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 1200 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-247-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В;

Ток коллектора: 30 А;

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.55 В;

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В;

Ток коллектора при 25°С: 60 A;

Рассеивамаяе мощность: 330 Вт;

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА;

Заряд затвора: 235 нКл;

Рабочая температура: -40...+175 °C;

Корпус: TO-247-3

Корпус TO-247-3

Технические параметры

Вес, г 7.655

Техническая документация

Datasheet IHW30N120R5XKSA1
pdf, 1666 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.