BSP225.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 руб.
Мин. кол-во для заказа 58 шт.
Добавить в корзину 58 шт.
на сумму 3 596 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -250В, -225мА, 1,5Вт, SOT223 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | TO261 | |
| кол-во в упаковке | 1000 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 225 mA | |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.8 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1.7 mm | |
| Длина | 6.7 mm | |
| Другие названия товара № | 934000510115 | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | P-Channel | |
| Продукт | MOSFET Small Signal | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 P-Channel | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 | |
| Ширина | 3.7 mm | |
| Base Product Number | BSP225 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 225mA (Ta) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | P-Channel | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 200mA, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | SOT-223 | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 225 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Width | 3.7mm | |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 20 КБ
Datasheet BSP225,115
pdf, 179 КБ
Datasheet BSP225.115
pdf, 180 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
