STD3NK60ZT4

Фото 2/6 STD3NK60ZT4Фото 3/6 STD3NK60ZT4Фото 4/6 STD3NK60ZT4Фото 5/6 STD3NK60ZT4Фото 6/6 STD3NK60ZT4
Фото 1/6 STD3NK60ZT4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001786316
Производитель: ST Microelectronics
22 руб.
3280 шт. со склада г.Москва
от 245 шт. — 17.90 руб.
от 1030 шт. — 17 руб.
Мин. кол-во для заказа 108 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
118 руб. 3-5 недель, 3 шт. 1 шт. 1 шт.
120 руб. 44 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 70 руб.
от 5 шт. — 44 руб.
от 10 шт. — 38 руб.
75 руб. 6 дней, 1632 шт. 1 шт. 5 шт.
от 57 шт. — 28 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2.4 А; Rси(вкл): 3.6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.6 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2,4 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 45 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.2мм
Высота 2.4мм
Размеры 6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.6мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 9 нс
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 19 ns
Серия MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 3.6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 11,8 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 311 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status NRND
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Process Technology SuperMESH
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 600
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Continuous Drain Current (A) 2.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 3600@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 11.8@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 11.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 311@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 45000
Typical Fall Time (ns) 14
Typical Rise Time (ns) 14
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 19
Typical Turn-On Delay Time (ns) 9
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 2.4(Max)
Package Length 6.6(Max)
Package Width 6.2(Max)
PCB changed 2
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Вес, г 0.602

Дополнительная информация

Datasheet STD3NK60ZT4
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.