IRF520NPBF

Фото 2/5 IRF520NPBFФото 3/5 IRF520NPBFФото 4/5 IRF520NPBFФото 5/5 IRF520NPBF
Фото 1/5 IRF520NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Возможность поставки по запросу
41 руб.
Мин. кол-во для заказа 56 шт.
от 150 шт.33.40 руб.
от 550 шт.31.80 руб.
Добавить в корзину 56 шт. на сумму 2 296 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001787117
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 9,7 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 48 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.69мм
Высота 8.77мм
Размеры 10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.54мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 4.5 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 32 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 25 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 330 pF@ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 9,7 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 48 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.69мм
Высота 8.77мм
Размеры 10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.54мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 4.5 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 32 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 25 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 330 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Base Product Number IRF520 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 9.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 5.7A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 2.838

Техническая документация

IRF520N Datasheet
pdf, 122 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF520NPBF
Datasheet IRF520NPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.